Resistive Switching in HfO2-based valence change memories, a 3D kinetic Monte Carlo approach
Автор: fmgomezcampos
Загружено: 2019-09-26
Просмотров: 5511
Supporting material of the research "Resistive Switching in HfO2-based valence change memories, a 3D kinetic Monte Carlo approach".
Authors: S. Aldana¹, P. García-Fernández¹, R. Romero-Zaliz², M. B. González³, F. Jiménez-Molinos¹, F. M. Gómez-Campos¹, F. Campabadal³, J. B. Roldán¹
¹ Departamento de electrónica y Tecnología de los Computadores, Universidad de Granada
² Departamento de Ciencias de la Computación e Inteligencia Artificial. Universidad de Granada.
³ Institut de Microelectrònica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC)
Доступные форматы для скачивания:
Скачать видео mp4
-
Информация по загрузке: