Похожие видео
array(10) {
[0]=>
object(stdClass)#4565 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "TtuUANbaEFI"
["related_video_title"]=>
string(100) "Catching a single Transistor - Looking inside the i9-9900K: A single 14nm++ Trigate Transistor (3/3)"
["posted_time"]=>
string(19) "5 лет назад"
["channelName"]=>
string(8) "der8auer"
}
[1]=>
object(stdClass)#4538 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "5RPFfPtgw7g"
["related_video_title"]=>
string(40) "The Gate-All-Around Transistor is Coming"
["posted_time"]=>
string(19) "1 год назад"
["channelName"]=>
string(11) "Asianometry"
}
[2]=>
object(stdClass)#4563 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "i3dDslo9ibw"
["related_video_title"]=>
string(29) "The 3-D Transistor Transition"
["posted_time"]=>
string(21) "2 года назад"
["channelName"]=>
string(11) "Asianometry"
}
[3]=>
object(stdClass)#4570 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "B1ULvYY-0Uo"
["related_video_title"]=>
string(124) "Закон сохранения энергии — величайшее заблуждение физики [Veritasium]"
["posted_time"]=>
string(23) "5 часов назад"
["channelName"]=>
string(10) "Vert Dider"
}
[4]=>
object(stdClass)#4549 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "bfkIp_j0Iv8"
["related_video_title"]=>
string(49) "Gate-All-Around — The Future of Transistors"
["posted_time"]=>
string(28) "11 месяцев назад"
["channelName"]=>
string(10) "High Yield"
}
[5]=>
object(stdClass)#4567 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "_5W_GZOPa8E"
["related_video_title"]=>
string(148) "Магия транзисторов: как мы научили компьютеры думать с помощью кусочков кремния?"
["posted_time"]=>
string(19) "1 год назад"
["channelName"]=>
string(43) "Физика с Юрием Ткачёвым"
}
[6]=>
object(stdClass)#4562 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "xaKyDrWfHes"
["related_video_title"]=>
string(42) "Engineering the Gate-All-Around Transistor"
["posted_time"]=>
string(19) "1 год назад"
["channelName"]=>
string(17) "Applied Materials"
}
[7]=>
object(stdClass)#4572 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "IHxv8ehrx2Q"
["related_video_title"]=>
string(60) "IBM’s Microchip Breakthrough explained: Going Vertical"
["posted_time"]=>
string(21) "3 года назад"
["channelName"]=>
string(16) "Anastasi In Tech"
}
[8]=>
object(stdClass)#4548 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "jasfRUwlfS8"
["related_video_title"]=>
string(24) "FD-SOI vs. FinFET (2016)"
["posted_time"]=>
string(19) "8 лет назад"
["channelName"]=>
string(25) "Semiconductor Engineering"
}
[9]=>
object(stdClass)#4566 (5) {
["video_id"]=>
int(9999999)
["related_video_id"]=>
string(11) "IHZwWFHWa-w"
["related_video_title"]=>
string(131) "Градиентный спуск, как обучаются нейросети | Глава 2, Глубинное обучение"
["posted_time"]=>
string(19) "7 лет назад"
["channelName"]=>
string(11) "3Blue1Brown"
}
}
Catching a single Transistor - Looking inside the i9-9900K: A single 14nm++ Trigate Transistor (3/3)
The Gate-All-Around Transistor is Coming
The 3-D Transistor Transition
Закон сохранения энергии — величайшее заблуждение физики [Veritasium]
Gate-All-Around — The Future of Transistors
Магия транзисторов: как мы научили компьютеры думать с помощью кусочков кремния?
Engineering the Gate-All-Around Transistor
IBM’s Microchip Breakthrough explained: Going Vertical
FD-SOI vs. FinFET (2016)
Градиентный спуск, как обучаются нейросети | Глава 2, Глубинное обучение