Электронные устройства: МОП-транзистор – Эффект короткого канала – Снижение барьера, вызванного с...

What is drain induced barrier lowering.

Снижение барьера, вызванное стоком (DIBL), в МОП-транзисторах с коротким каналом, лекция 73

Electronic Devices: MOSFET - Body Effect

Electronic Devices - EDC Lectures for GATE

Электронные приборы: МОП-транзисторы – эффекты короткого канала – Введение

10.16. Эффект горячего носителя

Внутри вашего телевизора скрыт УДИВИТЕЛЬНЫЙ элемент, который никогда не стоит выбрасывать!

Чем ОПАСЕН МАХ? Разбор приложения специалистом по кибер безопасности

Электронные устройства: МОП-транзистор — модуляция длины канала (CLM)

Зачем подключать конденсатор параллельно диоду? Вот почему!

Электронные приборы: МОП-конденсатор (03) — режим накопления

What is gate induced drain leakage in MOSFET ? GIDL in MOSFET?

Модуляция длины канала — английская версия

Где начало СХЕМЫ? Понимаем, читаем, изучаем схемы. Понятное объяснение!

What is channel length modulation in MOSFET?

«Что не так с квантовой физикой и путешествиями во времени?» – Д. Горбунов, А. Арбузов, А. Семихатов

Short Channel Effects in MOSFET

What is velocity saturation in MOSFET?

Electronic Devices: MOSFET working and IV characteristics

физтех отжигает на псевдонаучке ФизФака МГУ Full HD