【パワエレ】MOSFETの誤ターンオンメカニズムとその対策 MOSFET False Turn-On and Countermeasure
Автор: パワーエレクトロニクス研究室―Power Electronics Lab.
Загружено: 2021-02-24
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00:00 寄生容量による誤ターンオン（セルフターンオン）
01:31 寄生容量によるゲートソース電圧の持ち上がりの例
02:30 降圧チョッパの動作モード
04:24 ゲートドライバとスイッチの等価回路
05:15 ハイサイドスイッチターンオン時の動作
06:22 誤ターンオンのメカニズム
07:27 誤ターンオンの防止方法
09:50 誤ターンオンのメカニズムと防止策のシミュレーション検証
13:38 誤ターンオン防止による損失の増加
15:06 ゲート抵抗にダイオードを並列接続
16:06 その他の誤ターンオン防止方法
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当研究室では、「クリーンエネルギー溢れる持続可能な社会」と「地方から世界に羽ばたく技術者育成」を目指し、先進的パワーエレクロトニクスの研究を推進しています。このYouTubeチャネルでは、パワーエレクトロニクスを志す大学生や若手社会人を対象に動画を配信しています。大学学部レベルの基礎的内容に加えて、大学院レベルの応用的な内容、更には当研究室で取り組んでいるクリーンエネルギー用パワーエレクトロニクスに関する内容も発信しています。また、当研究室では、他大学からの編入生や海外からの留学生を積極的に受け入れています。
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#パワエレ #MOSFET #セルフターンオン
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