探索環繞式閘極奈米片電晶體：進階元件的核心技術｜閎康科技Ｘ劉致為教授｜2024 MAFT

台積電從2奈米製程起，將鰭式電晶體革新為全新環繞式閘極堆疊奈米片電晶體。為了讓這些先進的奈米片在各技術節點中展現最佳性能，劉致為教授的團隊全力攻克先進堆疊奈米片的關鍵技術——包括高遷移率通道、高層數堆疊通道、高介電係數閘極介電層，以及超薄通道等。這些突破將顯著提升堆疊奈米片的效能。同時，團隊也在前瞻性研究更進階的元件架構——互補式堆疊電晶體，為未來電晶體技術的變革做好準備。

「GAA」電晶體新時代即將來臨，看著世界級大廠開始更新製程技術，卻不知道該如何下手嗎？想保持在半導體產業的領先地位，增強電晶體的運行速度和效率、並減少漏電，使電晶體運行得更快、更高效嗎？

台灣大學電機工程學系的劉致為教授，將在8/22閎康科技MAFT技術發表會，
帶您了解半導體製程技術「環繞式閘極結構電晶體技術與進階元件」。

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主題：未來神晶元－解密半導體元件的智能進化
會議時間：8/22(四) 實體+線上直播
報名時間：即日起~8/15 (四)
報名連結：https://www.matek.com/zh-TW/Seminar/d...

✔影片重點看這裡
00:36 什麼是「環繞式閘極結構電晶體（GAA Transistors）」？
01:55 環繞式閘極電晶體在結構設計上與傳統鰭式電晶體相比有哪些顯著的不同？
03:25 GAA技術在哪些應用領域可發揮最大效益？
04:08 聽這場講座，有什麼幫助？


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