橫掃千軍！台積電1nm晶片狂突破，極關鍵2D材料被發現。電晶體閘極微縮加速，結合半金屬鉍Bi。美國亞利桑那3nm廠帶動，或在日本興建新6/7nm晶圓第二廠。麻省理工與台灣大學聯手，猛推動研究重點。

美國《世界日報》12月上旬稱，台積電至少已載運兩架專機的工程師和家屬赴美，多數在40歲左右，距離美國亞利桑那州新12英寸晶圓廠，量產4nm晶片的時間已經不遠。

台灣《經濟日報》12月中上旬就報導，台積電一名資深副總經理在東京電視台時表示，除正在日本熊本縣興建的工廠外，台積電不排除在日本蓋新6/7nm的晶圓廠。

台積電正超越3nm製程節點的先進製造技術。美國麻省理工學院、台灣大學和台積電的研究人員前段時間就發現，2D材料與半導體金屬鉍Bi相結合可達到極低的電阻，克服實現1nm晶片的挑戰。

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