Память будущего на атомной плёнке: в 10 раз меньше энергии и новый класс 2D-чипов

Объёмы данных растут, а вместе с ними — счета за электричество. Учёные нашли способ резко снизить энергопотребление памяти. Команда из Чалмерса создала двумерный материал толщиной в один атомный слой, в котором сосуществуют ферромагнитное и антиферромагнитное состояния. Такое сочетание позволяет точнее управлять электронами и тратить до 10 раз меньше энергии на переключение ячеек памяти. Параллельно исследователи из ИТМО показали сверхтонкие (≈4 нм) мемристоры — элементы, ведущие себя как «нейроны»: они хранят состояние без постоянного питания и подходят для маломощных ИИ-устройств. В сумме это даёт более долгую работу смартфонов и ноутбуков, холодные и быстрые чипы для edge-ИИ и заметную экономию для дата-центров. В ролике простым языком разбираем: как работает «ферро + антиферро» в одном слое, чем мемристор отличается от флеш-памяти, что будет с автономностью гаджетов и когда ждать первые массовые устройства. Переходим от красивых терминов к реальной пользе — и к тому, почему простота производства здесь важнее хайпа.

#двумерныематериалы #мемристор #память #нанотехнологии #энергоэффективность #микроэлектроника #ИИ #смартфоны #ноутбуки #технологиибудущего #наука #чипы