kT/e~26mV сосуд Грааля вечный источник жизни. Свободная энергия Гиббса в Двойном Электрическом Слое

Свободная энергия Гиббса (ΔG) — это часть внутренней энергии системы, которая может быть превращена в работу в данных условиях.
Изменение свободной энергии Гиббса при формировании двойного электрического слоя.
При образовании двойного электрического слоя (ДЭС) на границе, например, оксида металла и воды, потенциал Гиббса системы понижается. Это происходит из-за того, что отрицательные потенциалы, образующие ионы гидроксида OH−, самопроизвольно переходят из воды на оксидную пленку металла.
В результате металл приобретает отрицательный заряд, а в воде вокруг него образуется положительная область объёмного заряда.
Образование ДЭС происходит в результате стремления системы уменьшить поверхностную энергию Гиббса или энергию поверхности раздела двух фаз оксид металла - полярная жидкость